HBM和先进封装

HBM和先进封装
在SEMICON上，SKHynix分享了其对12-HiHBM4产品的见解，该产品计划于2H25出货。目前，SKHynix在HBM3e中使用DRAMBaseDie和2.5DSiP，但计划在HBM4中改用LogicBaseDie以提高性能和能效。根据SK的roadmao，12-HiHBM3/HBM3e和12-HiHBM4都将采用高级MR-MUF技术。对于16-HiHBM4/HBM4e，将使用高级MR-MUF和hybridbonding技术的组合。未来的产品（如20-HiHBM5）将完全过渡到hybridbonding。我们还与Onto和Camtek讨论了未来HBM的迭代如何影响检测和量测。与传统的引线键合不同，混合键合用与表面平行的金属板代替了3D凸块。目前，由于效率较低且HBM中凸块高度缺陷被放大，3D凸块需要进行大量的3D检测。但是，通过混合键合，焊盘高度将降低至2-3微米，从而降低缺陷率并减少3D检测的需求。

太阳FOPLP和玻璃基板
玻璃基板被视为多芯片封装中硅/有机基板的潜在替代品，具有尺寸稳定性更好、高频应用性能更高和热稳定性更强等优势。群创目前的TGV玻璃厚度范围为0.2毫米至0.1毫米，通孔为50-100微米，间距为100-300微米。玻璃基板的间距仍远落后于ABF（30微米间距）等其他基板材料，我们可能要等到2027年才能看到用于AI应用的玻璃基板，但今年晚些时候我们将看到用于PMIC和RF产品的玻璃基板。群创认为，面板制造商可能在生产玻璃芯方面具有优势，他们拥有处理玻璃和防止破损的基本技术。另一方面，我们的消息表明英伟达正在考虑为Rubin的下一代产品中采用FOPLP。

太阳光刻
ASML展示了其high-NAEUV技术，其新光学元件可提供超过30%的对比度、更好的随机性和更低的曝光剂量。0.55NAEUV系统已经用于早期工艺开发，最早将在2026年实现批量采用。然而，我们的消息表明，台积电可能不会在2028年的14A节点上采用high-NAEUV，并且可能仍会在A10上使用low-NA系统。佳能推出了其最新的纳米压印设备，与N3和N5节点的逻辑客户合作替换一些EUV层。佳能也在与一些存储客户合作。