按照代际，半导体材料自19世纪发展至今已第四代半导体材料

按照代际，半导体材料自19世纪发展至今已第四代半导体材料，各个代际半导体材料并存，各有所长并相互补充：
1)第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)作衬底，其构建的晶体管取代了笨重的电子管，促进了集成电路的快速发展。其应用最为广泛，包括手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光伏等产业。
2)第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓、砷化铟、砷化铝及其合金为代表，其拥有良好的电子迁移率、带隙等特性，主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域，但是第二代半导体材料的资源较为稀缺，在价格昂贵的同时材料本身还带有毒性，对环境容易造成污染，以上种
种缺点使得第二代半导体材料的应用具有一定的局限性。
3)第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO),相比于前两
代半导体材料，第三代半导体材料不仅具有更加优秀的电子迁移率，而且具备耐压高、抗辐射、热导率大等优势，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁
带(Eg>2.3eV)半导体材料，也称为高温半导体材料。目前在半导体照明、新能源汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用。

4)第四代半导体材料可分为超宽禁带半导体和超窄禁带半导体，其中超宽禁带半导体以氧化
镓(Ga203)、金刚石(C)为代表，超窄禁带半导体以锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)。从技术成熟度层面来看，氧化镓禁带宽度(Eg=4.9eV)比第三代半导体材料更好，在导电性能和发光特性上也更优，因此在辐射探测传感器芯片、功率校正、逆变、高功率和超大功率芯片产业上具有广阔的应用前景。整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。