SiC车规级应用渗透率加速，国产供应链全面崛起

SiC车规级应用渗透率加速，国产供应链全面崛起 1. 800V 高压平台升级， SiC 车规级应用渗透率加速提升。SiC器件主要应用于新能源车的电机控制器、车载充电机OBC、DC/DC变换器等。相较Si器件，SiC器件具有以下优点（1）能量损耗低：导通电阻低，同规格SiC-MOS相较Si-IGBT总能量损失可降低约80%。（2）器件尺寸小：损耗低且电流密度高，同规SiC-MOS仅为Si-MOS原尺寸的1/10。（3）开关频率高：不存在电流拖尾现象，大幅提高实际开关频率。（4）工作温度高：热导率高，器件散热容易，降低对散热系统的需求，利于终端轻量化和小型化。2021年，汽车对SiC器件需求提升，SiC进入供应短缺状态。国内碳化硅产业快速发展，根据NE时代，2023年国内上险乘用车主驱碳化硅模块渗透率约为10.7%，下半年800V车型中SiC渗透率显著提升：6-12月800V车型中SiC车型占比分别为15%、18%、29%、35%、39%、45%，其中12月问界M9、理想MEGA等多个碳化硅车型上市。 2. SiC国产供应链崛起，衬底外延器件全面突破。衬底：国产衬底突破速度快，海外大厂英飞凌、博世、安森美等公司已开始批量在6英寸的SiC MOS级产品制造中使用国产衬底。据SMIA， 2023年中国碳化硅衬底材料出货89.4万片（折合6英寸），比2022年的30万片增长297.9%，据估算，我国2023年的碳化硅衬底产能已占到全球产能的42% 。8英寸方面，多家衬底厂商已完成研发，具备量产能力。外延：国内相关外延厂商已实现产业化，可供应4-6英寸外延片。8英寸方面，国内已实现国产8英寸SiC衬底上同质外延生长，具备8英寸SiC外延片量产能力。 3. 工艺持续优化驱动成本持续降低。6英寸方面，行业电阻长晶炉实现突破，使用溶液法理念并利用PVT法单晶稳定生长的优势制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶，厚度为目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，推动衬底成本持续降低方面的巨大潜力。8英寸方面，无需外延的离子注入工艺将解决电子转移速度降低，以及外延片成本过高等大规模生产的主要障碍，有助于将SiC MOSFET衬底成本降低30%，为具