在整个硅片加工流程中最重要的就是拉晶环节，这一技术环节是决定硅片性能的关键

在整个硅片加工流程中最重要的就是拉晶环节，这一技术环节是决定硅片性能的关键。拉晶环节对单晶硅的制备方法通常分为直拉法(Czochralsk,CZ法)和区熔法(Float-Zone,FZ法)。其中，直拉法是最常用的制备工艺，采用直拉法的硅单晶约占85%,12英寸硅片只能用直拉法生产。
直拉法是把高纯度化后的多晶硅置于石英坩埚中在1420°C下熔融，接着将单晶硅籽晶插入熔体表面，当籽晶与熔体到过饱和温度后边旋转边提拉籽晶，将晶体生长成与籽晶原子排列相同的单晶锭，根据生长晶体不同的要求，加热方式可用高频或中频感应加热或电阻加热。直拉法技术要求较低因而成本较低，工艺发展也较为成熟，氧含量更高，更容易大量生产出大尺寸单晶硅棒，目前主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约为95%。
区熔法在生产单晶的过程中不使用坩埚，而是在熔区设置磁托，使得多晶硅棒始终处于悬浮状态，接着通过高频加热线圈熔化籽晶与多晶硅接触的区域，进行单晶生长。由于该方法避免了坩埚造成污染，实现单晶硅在不同任何物质接触的情况下进行悬浮生长，因此生产的单晶硅氧含量较低，纯度较高，性能更好，对应的，该方法工艺更为复杂，技术要求上更为严格，成本也相对较高，主要以8英寸及以下尺寸为主，目前主要用在部分功率芯片中，市占率约为4%。