HBM4以后的技术路线变更带来的影响

☑️在本篇报告中，我们主要分析HBM竞争格局的最新情况及我们对未来格局演变的主要观点。我们认为未来竞争格局演变需关注 🎯三星在英伟达的验证进展和管理层变更对其发展战略和技术路线的影响; 🎯下游客户多元化对竞争格局的影响; 🎯HBM4以后的技术路线变更带来的影响（混合键合路线的必要性）等。 ☑️SK海力士领导地位暂时稳固。考虑到三星验证问题和美光产能规模相对较小，我们认为SK海力士很有可能在HBM3e上继续维持其在英伟达的供应优势。 ☑️后发者美光凭借制程优势迅速赶超。美光之所以能实现在HBM3e上的快速赶超，我们认为很大程度上是由于其在DRAM芯片本身的制程节点和微缩程度（cell scaling）上领先。美光短期的重点应该放在如何快速扩充产能上。 ☑️三星HBM3e或尚未通过英伟达验证。三星在5月份更换了半导体业务负责人，由曾负责过存储芯片开发业务和电池业务的副董事长全永铉（Jun Young-hyun）接替庆桂显（Kyung Kye-hyun），管理层的变动后下半年三星半导体部门内部可能面临战略转换和组织变更。 👉未来竞争格局演进影响因素之一：客户多元化。考虑到SK海力士和美光在产能受限的情况下可能会优先满足英伟达的订单，因此，我们认为，尽管三星可能暂时未通过较为严苛的英伟达的检证，但仍有望通过扩展AMD和谷歌等客户来提升其在HBM市场上的市占率。 👉未来竞争格局演进影响因素之二：技术路线变更（混合键合的必要性）。当前来看，进入HBM4之后很有可能需要采用混合键合技术。如果未来三星能够在混合键合技术上率先有所突破，或有望帮助其在HBM4以后世代重新获得市场主导权。