上海微电子发明专利”极紫外辐射发生装置及光刻设备“公布

上海微电子发明专利”极紫外辐射发生装置及光刻设备“公布

💢摘要：
1、发明人/专利申请日/公布日：
上海微电子装备（集团）股份有限公司，2023年03月09日申请，2024年09月10日公布（根据我国《专利法》，一般情况下，自受理起18个月会进行公布，然后进入实质审查阶段，通过后才能获得授权）

2、发明背景和目的：
极紫外（EUV）光刻是面向7nm及以下节点的主流光刻技术，极紫外光刻采用13.5nm波长的极紫外光。以采用激光轰击锡滴产生极紫外光为例，被轰击所产生的锡碎屑(带电粒子) 向周围扩散，极易污染收集器镜，严重影响收集器镜的使用寿命。本发明的目的在于提供一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，用于高效且简便地收集带电粒子以提高收集器镜的使用寿命。

3、技术解决方案归纳：
1）极紫外辐射发生装置包括腔体、靶材发生器、激光发生器、收集器镜、电极板和气控部件。
2）利用电场约束带电粒子的轨迹，使带电粒子被收集至电极板上。
3）利用氢自由基与带电粒子反应形成气体而排出。
4）通入惰性气体形成稳定流场，阻止带电粒子扩散至收集器镜。

💢专利含义：
EUV光刻机是制约我国集成电路制造工艺向更先进节点发展的核心掣肘之一，业界普遍采用EUV光刻机来实现7nm及更先进逻辑电路、10nm及更先进Dram芯片的关键层曝光，受出口管制条例影响，国内无法进口荷兰ASML的EUV光刻机。EUV光源是EUV光刻机的核心系统，也是EUV光刻机成本的重要构成，ASML的EUV光源由美国Cymer公司提供，而该上海微电子发明专利主要涉及的就是EUV光源部分结构的设计方案。

风险提示：内容根据国家知识产权局，仅供参考。